时间：2025/8/7 14:05:42
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TFS7708H是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，是电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种开关电源系统中的关键元件。TFS7708H采用了东芝的U-MOS VIII技术，提供了优异的导通特性和开关性能，适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：7.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：100nC（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
TFS7708H具有多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；高耐压能力确保在高压环境下稳定工作；采用东芝U-MOS VIII工艺，提升了开关速度和热稳定性，从而减少开关损耗并提高可靠性。此外，该器件具有较高的电流承受能力，适用于高负载应用场景。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。TFS7708H还具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在极端条件下的耐用性。
TFS7708H广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统、工业自动化设备以及电动车电源控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该器件在需要高效能和高可靠性的电源转换系统中表现出色。
SiHF80N30EF、FDP80N30、IPW7708H、TKA7708H
