TFS707HG 时间：2025/8/7 3:47:10 阅读：31

TFS707HG 是一款由东芝（Toshiba）推出的高集成度、低功耗的功率MOSFET器件，采用高密度沟槽技术，具备优异的导通特性和热稳定性。该器件主要面向DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及高效率电源应用，具备高可靠性与良好的封装散热性能。

参数

类型：功率MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：7.7mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：HSON (表面贴装)

特性

TFS707HG 采用先进的沟槽MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其低导通电阻和高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件的封装设计优化了热管理性能，确保在高负载情况下依然保持稳定的工作温度，提高了整体系统的可靠性和寿命。
　　TFS707HG 还具备出色的抗雪崩击穿能力和静电放电（ESD）保护特性，使其在复杂的电气环境中具备更强的耐用性和稳定性。
　　同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路设计，适应性强，且在低栅压下仍能维持较好的导通性能，适合多种应用场景。

应用

TFS707HG 广泛应用于需要高效能功率控制的各类电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、电动工具和无人机的电源系统、工业自动化设备及电源适配器等。
　　由于其高效率和紧凑型封装，TFS707HG 非常适合空间受限但对功率要求较高的设计，如便携式设备、嵌入式系统和汽车电子系统。