STW20NM60N 时间：2025/7/22 21:12:25 阅读：11

STW20NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压功率MOSFET晶体管，主要用于高功率应用场合，如电源转换器、开关电源（SMPS）、马达控制以及各种工业自动化设备。这款MOSFET是一款N沟道增强型晶体管，具备较高的电流处理能力和良好的导通特性，适用于600V的工作电压范围。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：20A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：125W

特性

STW20NM60N的主要特性包括高耐压能力（600V）和较强的电流处理能力（20A），使其适用于各种高功率应用。这款MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，确保在高功率工作条件下保持稳定。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许在不同的驱动条件下稳定工作。其工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），使STW20NM60N能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业级应用。此外，该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力，有助于提高系统的可靠性和耐用性。
　　STW20NM60N的设计考虑了高频开关应用的需求，具有快速开关能力和较低的开关损耗，这使其在开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用中表现出色。

应用

STW20NM60N广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统、马达驱动器以及各种电力电子设备。其高电压耐受能力和低导通电阻也使其成为太阳能逆变器、LED照明驱动器和电动车充电系统等领域的理想选择。
　　在开关电源设计中，STW20NM60N能够提供高效、稳定的功率转换，有助于提高电源的整体效率并降低能耗。在马达控制应用中，该MOSFET能够承受较大的负载电流，确保马达运行的稳定性和响应速度。此外，在UPS系统中，STW20NM60N可用于实现高效的能量转换和稳定的输出电压控制。