STW20NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高电压功率MOSFET晶体管,主要用于高功率应用场合,如电源转换器、开关电源(SMPS)、马达控制以及各种工业自动化设备。这款MOSFET是一款N沟道增强型晶体管,具备较高的电流处理能力和良好的导通特性,适用于600V的工作电压范围。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):20A(在Tc=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
功率耗散(Ptot):125W
STW20NM60N的主要特性包括高耐压能力(600V)和较强的电流处理能力(20A),使其适用于各种高功率应用。这款MOSFET的导通电阻较低,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,确保在高功率工作条件下保持稳定。
该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),允许在不同的驱动条件下稳定工作。其工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),使STW20NM60N能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业级应用。此外,该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力,有助于提高系统的可靠性和耐用性。
STW20NM60N的设计考虑了高频开关应用的需求,具有快速开关能力和较低的开关损耗,这使其在开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用中表现出色。
STW20NM60N广泛应用于多种高功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统、马达驱动器以及各种电力电子设备。其高电压耐受能力和低导通电阻也使其成为太阳能逆变器、LED照明驱动器和电动车充电系统等领域的理想选择。
在开关电源设计中,STW20NM60N能够提供高效、稳定的功率转换,有助于提高电源的整体效率并降低能耗。在马达控制应用中,该MOSFET能够承受较大的负载电流,确保马达运行的稳定性和响应速度。此外,在UPS系统中,STW20NM60N可用于实现高效的能量转换和稳定的输出电压控制。
STW25NM60ND, STW20NM50N, STW20NM60ND