时间：2025/4/29 12:11:24
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TFS080N04N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提高效率。
该芯片的封装形式通常为 TO-263（DPAK），具备良好的散热性能，适合在高电流和高电压条件下使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1300pF
最大工作结温：175℃
TFS080N04N 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 内置 ESD 保护，提高了器件的抗静电能力。
6. 优化的热性能设计，确保长期稳定运行。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
5. LED 照明驱动电路。
TFS080N04N 的高效性能和可靠性使其成为众多高功率密度设计的理想选择。
TFS085N04L, IRFZ44N, FDP089N04L
