时间：2025/5/19 16:14:12
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TFS060N02M是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型场效应晶体管（e-mode HEMT），专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用小型化的SMD封装形式，适用于高频功率转换和射频应用领域，具有低导通电阻和快速开关性能的特点。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：6A
导通电阻：160mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
输入电容：930pF
反向恢复时间：无
工作温度范围：-55℃~175℃
TFS060N02M使用了先进的GaN技术，提供卓越的开关性能和较低的导通损耗。与传统硅基MOSFET相比，它的开关速度更快，寄生电感更低，能够显著提高系统效率和功率密度。
GaN材料具备更高的电子迁移率和击穿场强，因此在高频和高压应用中表现出色。此外，其紧凑的尺寸有助于减少PCB空间占用，并支持更小的整体设计。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能输出。这些特点使其非常适合于DC-DC转换器、无线充电设备、激光雷达驱动以及各类高效电源管理方案中。
TFS060N02M广泛应用于高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路、无线充电发射端、电机驱动控制器、车载充电器（OBC）、服务器电源模块以及工业级开关电源等场景。
同时，它也适用于需要高效率和高频率操作的射频放大器和脉冲生成电路。由于其出色的耐压能力，这款GaN晶体管同样适合用在新能源汽车的电力电子系统中。
TGF2006HE, EPC2018
