时间：2025/12/5 19:57:43
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TFM252010ALM-R22MTAA是一款由Taiyo Yuden（太阳诱电）公司生产的多层铁氧体磁珠，专为高频噪声抑制设计，广泛应用于高速数字电路、射频（RF）电路和电源线路中的EMI（电磁干扰）滤波。该器件采用252010尺寸（即2.5mm x 2.0mm x 1.0mm），符合标准的表面贴装技术（SMT）封装，适合自动化贴片生产。其主要功能是通过在特定频率范围内提供高阻抗来吸收或衰减高频噪声，从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
该磁珠的核心材料为高性能铁氧体陶瓷，具有优异的温度稳定性和可靠性。型号中的'R22M'表示其标称直流电阻（DCR）为0.22Ω，TAA代表编带包装形式，适用于大规模批量应用。TFM252010ALM系列特别优化了在数百MHz至数GHz频段内的噪声抑制能力，同时保持较低的直流电阻以减少对主信号通路的功率损耗。它常用于智能手机、平板电脑、无线通信模块、物联网设备以及各类便携式电子产品中，用以保护敏感电路免受开关噪声、时钟谐波和其他高频干扰的影响。
产品类型：铁氧体磁珠
尺寸代码：252010
外壳尺寸（公制）：2.5mm x 2.0mm x 1.0mm
直流电阻（DCR）：0.22Ω
额定电流：500mA
阻抗频率：100MHz
典型阻抗值：220Ω @ 100MHz
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
端接方式：表面贴装（SMD）
磁珠材料：镍锌（NiZn）铁氧体
RoHS合规性：符合
包装形式：编带（Tape and Reel）
TFM252010ALM-R22MTAA具备卓越的高频噪声抑制性能，在100MHz下可提供高达220Ω的阻抗，有效滤除高速数字信号线路上的共模噪声和射频干扰。其采用先进的多层陶瓷工艺制造，将多个铁氧体层与内部电极交替堆叠，形成高效的磁性结构，不仅提高了单位体积内的阻抗密度，还增强了器件的机械强度和热稳定性。
该磁珠使用镍锌（NiZn）铁氧体材料，相较于锰锌（MnZn）材料，具有更高的截止频率和更宽的工作频带，特别适用于GHz级别的高频应用场景。其低直流电阻（仅0.22Ω）确保在通过最大额定电流（500mA）时产生的电压降和功耗极小，不会显著影响电源效率或导致过热问题，因此非常适合用于电池供电设备中的电源轨滤波。
此外，该器件具有良好的温度系数特性，在-55℃至+125℃的工作温度范围内性能稳定，能够在极端环境条件下保持一致的噪声抑制效果。其表面贴装封装形式支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，满足现代绿色电子制造的要求。整体结构经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的抗湿性、耐热循环能力和长期使用寿命，适用于高密度PCB布局和小型化设计需求。
值得一提的是，该系列产品经过优化设计，具有较低的等效寄生电容和电感，避免在高频下产生不必要的谐振现象，从而保证了在整个目标频段内平稳且可控的阻抗响应曲线。这种特性使其成为高速USB、HDMI、MIPI、Wi-Fi/BT模块等接口电路中不可或缺的EMI对策元件。
主要用于便携式消费类电子产品中的EMI抑制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；适用于高速数字信号线路的噪声过滤，包括USB、SD卡、LCD背光驱动和音频线路；广泛用于无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、5G）的射频前端电路中，防止高频干扰串扰；可用于电源去耦电路，在DC-DC转换器、LDO输出端抑制开关噪声；适用于工业控制设备、汽车电子系统（非动力域）及物联网终端中对电磁兼容性要求较高的场合；也常见于高密度PCB板上用于隔离不同功能模块之间的高频耦合噪声。
BLM21PG221SN1
DLW21SN221SQ5
BLM18PG221SN1
ACM4320-221-T000F
CM252010U221D
