TFM-150-01-S-D-K 是一种高性能的薄膜电容器,适用于高频滤波和电源电路中的能量储存及脉冲应用。该型号采用金属化聚丙烯薄膜作为介质材料,具有高稳定性和低损耗特性。其结构设计紧凑,适合在狭小空间内使用,同时具备优良的耐热性能和长寿命特点。
额定电压:630VDC
容量范围:0.1μF 至 10μF
容差:±10%
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
尺寸(直径x高度):15mm x 25mm
引线间距:15mm
绝缘电阻:大于 1000MΩ
频率特性:适用于 1kHz 至 1MHz 的高频电路
1. 高频性能优越,介质损耗极低,能够有效减少信号失真。
2. 使用金属化聚丙烯薄膜,具有自愈性,能显著提高产品的可靠性。
3. 稳定性强,即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电气性能。
4. 设计紧凑轻便,便于集成到小型化电子设备中。
5. 耐压能力强,适合高压应用场景,如开关电源、逆变器等。
6. 长使用寿命,产品经过严格的老化测试,确保长期运行稳定性。
TFM-150-01-S-D-K 广泛应用于各种高频电路和电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源中的高频滤波和储能。
2. 逆变器中的缓冲电路和能量传递。
3. 工业控制设备中的电源模块。
4. 通信设备中的射频滤波与耦合。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制。
6. 医疗设备中的高频信号处理。
TFM-150-02-S-D-K
TFM-150-01-M-D-K
TFM-200-01-S-D-K