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AO4946 发布时间 时间:2025/7/4 18:59:42 查看 阅读:19

AO4946是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3328-8L封装,适用于高密度电路设计。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于便携式设备、电源管理模块以及负载开关等应用中。
  AO4946的额定电压为30V,能够提供出色的效率和热性能,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,从而优化了动态性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.1A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  工作结温范围:-55℃至150℃
  封装形式:DFN3328-8L

特性

AO4946具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,得益于低栅极电荷和输出电容,适用于高频开关应用。
  3. 小型DFN封装节省了PCB空间,适合于对尺寸敏感的设计。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至150℃),确保在极端环境下的可靠运行。
  5. 高可靠性设计,满足多种工业和消费类电子产品的严格要求。

应用

AO4946广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的DC-DC转换器。
  2. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. 固态硬盘(SSD)和USB接口的电源控制。
  5. 各种低电压、大电流开关应用,例如电机驱动和LED照明。

替代型号

AO4940, AO4942, IRF7843

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AO4946参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列SRFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 8.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1885pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1066-6