TFM-150+ 时间：2025/12/28 12:44:20 阅读：13

TFM-150+ 是一款由Mini-Circuits公司生产的宽带射频变压器，属于其超小型表面贴装器件（SMD）系列。该器件主要用于射频和微波电路中的阻抗匹配、信号耦合与平衡-不平衡转换（Balun）功能。TFM-150+ 具有非常宽的工作频率范围，适用于从低频到高频的多种射频应用，特别是在需要高集成度和小型化设计的现代通信系统中表现优异。其封装尺寸极小，仅为3 mm × 2 mm × 1.1 mm，适合高密度PCB布局，广泛应用于无线基础设施、蜂窝通信、物联网（IoT）、雷达系统以及测试测量设备中。
　　这款变压器采用先进的薄膜制造工艺，确保了出色的电气性能和温度稳定性。它能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，具备良好的耐湿性和机械强度，符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺。TFM-150+ 的设计目标是提供一个高性能、高可靠性的磁性元件解决方案，用于替代传统较大的绕线式变压器，在保持优良性能的同时显著减小电路板空间占用。

参数

制造商：Mini-Circuits
　　型号：TFM-150+
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　外形尺寸：3 mm × 2 mm × 1.1 mm
　　工作频率范围：10 MHz 至 1500 MHz
　　初级阻抗：50 Ω
　　次级阻抗：50 Ω
　　变比（匝数比）：1:1
　　插入损耗：典型值 0.8 dB @ 1 GHz
　　幅度不平衡度：±0.5 dB（典型值）
　　相位不平衡度：±5°（典型值）
　　回波损耗：>15 dB @ 100 MHz – 1 GHz
　　隔离度：>20 dB @ 1 GHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　焊接方式：回流焊（推荐峰值温度260°C）
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出

特性

TFM-150+ 射频变压器的核心优势在于其卓越的宽带性能与紧凑的小型化设计。该器件在10 MHz至1500 MHz的宽频带内表现出稳定的电气特性，使其能够适应多种调制格式和多频段操作需求。其1:1的阻抗变换比特别适用于单端信号之间的耦合或作为缓冲级使用，同时也能配置为Balun结构以实现差分与单端信号之间的转换。得益于Mini-Circuits专有的薄膜制造技术，TFM-150+ 实现了高度一致的电感和耦合系数控制，从而保证了极低的幅度与相位不平衡度，这对高性能接收机前端、I/Q信号路径和相控阵系统至关重要。
　　该器件具有出色的插入损耗表现，典型值仅为0.8 dB @ 1 GHz，意味着信号传输过程中的能量损失极小，有助于提升整个系统的信噪比和灵敏度。此外，其回波损耗优于15 dB（在100 MHz至1 GHz范围内），表明输入端口具有良好的阻抗匹配能力，减少了因反射引起的信号失真。高隔离度（>20 dB @ 1 GHz）则有效抑制了输出端对输入端的反馈干扰，提升了系统的稳定性与线性度。
　　TFM-150+ 采用陶瓷基板上的精密薄膜绕组结构，不仅提高了热导率和散热效率，还增强了长期工作的可靠性。这种结构相比传统的铁氧体磁芯绕线变压器更能抵抗机械振动和热应力影响，适合严苛环境下的工业和军事应用。其表面贴装封装形式便于自动化装配，支持高速SMT生产线，大幅提高生产效率并降低制造成本。由于其优异的电磁兼容性（EMC）表现，该器件在高密度射频模块中可减少屏蔽需求，进一步优化整机设计。

应用

TFM-150+ 广泛应用于各类高频电子系统中，尤其适用于对空间和性能要求极为严格的现代射频设计。在无线通信领域，它常被用于蜂窝基站收发单元、小型化毫米波前端模块以及5G NR射频链路中，作为本地振荡器（LO）信号分配网络的一部分，实现本振信号的均等分割与驱动。在软件定义无线电（SDR）和多模多频终端设备中，该器件可用于不同频段间的共用天线匹配网络或双工器接口，提供稳定的阻抗过渡。
　　在测试与测量仪器方面，TFM-150+ 被集成于矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器的内部射频路径中，用于校准通路或构建差分放大器输入级，确保测试结果的准确性和重复性。在雷达和电子战系统中，该变压器可用于T/R模块中的功率分配与合成电路，发挥其宽带响应和高隔离度的优势。
　　此外，TFM-150+ 还适用于高速数据转换器（如ADC/DAC）的前端驱动电路，帮助实现单端转差分功能，从而提升动态范围和抗共模干扰能力。在物联网节点、Wi-Fi 6/6E接入点、UWB定位模块等消费类和工业级产品中，该器件凭借其微型化特点成为理想的无源元件选择，助力工程师在有限PCB面积下完成复杂射频布局。