S3F8235BZZ-QT85 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他高效率功率管理领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效的能量转换。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)。由于其出色的电气性能和可靠性,S3F8235BZZ-QT85 在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:34A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:1700pF
开关速度:快速
封装类型:TO-263 (D2PAK)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
S3F8235BZZ-QT85 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其在大电流应用中能够减少传导损耗,从而提高系统效率。
2. 快速开关能力降低了开关损耗,使得该器件适用于高频开关电路。
3. 高电流承载能力确保了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
4. 良好的热性能设计有助于散热,延长器件寿命。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 宽泛的工作温度范围使其能够适应极端环境下的应用需求。
S3F8235BZZ-QT85 的典型应用包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统的功率输出级。
6. LED 照明驱动电路中的功率开关元件。
S3F8235BZP-QT85, IRF840, FDP5500