时间：2025/7/4 8:03:11
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TFM-115-01-F-D-A-K 是一款高性能的薄膜混合电阻网络芯片，专为精密电路设计和应用而开发。该元器件采用了先进的薄膜沉积技术，具备高精度、低温漂以及出色的长期稳定性等特性。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，同时能够提供高度一致的电阻匹配性能，确保电路运行的可靠性。
型号：TFM-115-01-F-D-A-K
封装形式：SIP 8
电阻值：10kΩ
公差：±0.1%
温度系数：±5 ppm/°C
工作电压：50V
功率耗散：0.25W
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
引脚间距：2.54mm
TFM-115-01-F-D-A-K 薄膜混合电阻网络的核心优势在于其卓越的性能和可靠性。首先，它采用薄膜电阻技术制造，相比传统的厚膜或线绕电阻，具有更低的噪声和更高的稳定度。
其次，它的电阻匹配精度非常高，适合用于需要精密分压、比例放大或桥式电路的设计中。
此外，TFM-115-01-F-D-A-K 的低温漂特性（±5 ppm/°C）保证了在宽温度范围内电阻值的稳定性，这对于环境变化较大的应用场景尤为重要。
最后，其紧凑的 SIP 8 封装形式进一步优化了 PCB 空间利用率，同时提供了易于焊接和安装的引脚设计。
TFM-115-01-F-D-A-K 主要应用于需要高精度和稳定性的电子系统中，包括但不限于以下领域：
1. 数据采集系统中的分压网络
2. 模拟信号调理电路中的比例放大器
3. 高精度 ADC 和 DAC 的参考电阻网络
4. 工业控制设备中的桥式电路
5. 医疗设备中的信号处理模块
6. 测试与测量仪器中的精密电阻网络
7. 通信系统中的滤波器和匹配网络
TFM-115-01-F-D-B-K
TFM-115-01-F-D-C-K
TFM-115-01-F-D-E-K
