TFM-108-01-S-D-K-TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频功率开关器件,主要应用于高效率电源转换场景。该芯片采用了先进的封装技术,能够在高频和高温环境下保持稳定性能。其设计旨在优化开关速度和降低导通损耗,适用于对效率和散热要求较高的应用场合。
该型号中的后缀 'TR' 表示其符合 RoHS 标准,并且适合回流焊接工艺。
类型:功率开关
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650V
额定电流:8A
导通电阻:120mΩ
封装形式:DFN8
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
栅极驱动电压:4.5V 至 6V
开关频率:最高可达 5MHz
TFM-108-01-S-D-K-TR 具有以下关键特性:
1. 高频性能:支持高达 5MHz 的开关频率,适合高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 高效率:低导通电阻(120mΩ)有效减少导通损耗,提高整体效率。
3. 快速开关:短的开关时间和低栅极电荷使其非常适合高速切换应用。
4. 小型封装:采用 DFN8 封装,节省 PCB 空间并具备良好的热管理能力。
5. 高可靠性:经过严格测试以确保在恶劣环境下的长期稳定性。
6. 环保合规:符合 RoHS 标准,无铅设计。
TFM-108-01-S-D-K-TR 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):包括适配器、充电器等。
2. 无线充电系统:利用高频性能实现高效的无线能量传输。
3. LED 驱动器:提供高效率和高精度的电流控制。
4. 工业电源:如电机驱动器、太阳能逆变器和其他工业设备。
5. 消费类电子:例如笔记本电脑充电器、平板电脑电源等需要小型化和高效化的场景。
TFM-108-01-S-D-K-RP, TFM-108-01-S-D-K-HR