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CDR33BX153BMZRAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:42:37 查看 阅读:5

CDR33BX153BMZRAT 是一款由 ROHM(罗姆)生产的 SiC MOSFET 功率晶体管,采用 TO-247-4 封装形式。该器件基于碳化硅材料制造,具有高效率、高速开关和高耐压特性,适用于工业设备和汽车领域的各种功率转换应用。
  这款 MOSFET 的设计能够显著降低导通损耗和开关损耗,同时支持更高的工作温度范围,使其成为高性能电源管理系统的理想选择。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:80A
  Rds(on):15.3mΩ
  栅极电荷:195nC
  输入电容:1180pF
  最大功耗:340W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

CDR33BX153BMZRAT 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:额定电压高达 1200V,适用于高压环境下的功率转换。
  2. 极低的导通电阻:Rds(on) 仅为 15.3mΩ,显著降低传导损耗。
  3. 快速开关性能:得益于 SiC 材料的优势,其开关速度远高于传统硅基 MOSFET,从而减少开关损耗。
  4. 耐热性优异:支持最高结温 175℃,适合高温应用场景。
  5. 四脚封装设计:TO-247-4 封装优化了散热性能并减少了寄生电感的影响。
  6. 符合 AEC-Q101 标准:确保产品在汽车电子领域的可靠性与稳定性。

应用

CDR33BX153BMZRAT 广泛应用于需要高效功率转换的领域,具体包括:
  1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及逆变器。
  2. 工业级 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 高频功率放大器和其他要求快速开关的应用场景。

替代型号

CDR33BZ153BMZRA, CDR33BX153BMZRA

CDR33BX153BMZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-