时间：2025/6/3 22:42:37
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CDR33BX153BMZRAT 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 SiC MOSFET 功率晶体管，采用 TO-247-4 封装形式。该器件基于碳化硅材料制造，具有高效率、高速开关和高耐压特性，适用于工业设备和汽车领域的各种功率转换应用。
这款 MOSFET 的设计能够显著降低导通损耗和开关损耗，同时支持更高的工作温度范围，使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
额定电压：1200V
额定电流：80A
Rds(on)：15.3mΩ
栅极电荷：195nC
输入电容：1180pF
最大功耗：340W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CDR33BX153BMZRAT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：额定电压高达 1200V，适用于高压环境下的功率转换。
2. 极低的导通电阻：Rds(on) 仅为 15.3mΩ，显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能：得益于 SiC 材料的优势，其开关速度远高于传统硅基 MOSFET，从而减少开关损耗。
4. 耐热性优异：支持最高结温 175℃，适合高温应用场景。
5. 四脚封装设计：TO-247-4 封装优化了散热性能并减少了寄生电感的影响。
6. 符合 AEC-Q101 标准：确保产品在汽车电子领域的可靠性与稳定性。
CDR33BX153BMZRAT 广泛应用于需要高效功率转换的领域，具体包括：
1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及逆变器。
2. 工业级 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频功率放大器和其他要求快速开关的应用场景。
CDR33BZ153BMZRA, CDR33BX153BMZRA
