时间：2025/5/13 16:21:03
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TFD180N02是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于需要高效功率转换的场景。它适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理模块、DC-DC转换器以及负载开关等应用。
TFD180N02的设计旨在优化性能与效率之间的平衡，提供出色的电流处理能力和较低的功耗。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：180A
导通电阻：0.5mΩ
栅极电荷：340nC
开关频率：高达100kHz
结温范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻使得该器件在高电流应用中表现出较低的功耗。
2. 快速开关能力确保其在高频工作条件下具备高效性能。
3. 高额定电流支持大功率负载。
4.各种恶劣环境下的使用。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性，能够长时间运行而不易损坏。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电动工具及电机驱动电路中的关键控制部件。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 消费类电子产品中的高效DC-DC转换器设计。
IRF2807,
STP180N02,
FDP187
