时间：2025/5/22 10:02:19
阅读：3
TFD070N02是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件以其低导通电阻和快速开关速度著称，适合高频应用环境。
该MOSFET采用TO-252封装形式，具有良好的散热性能和紧凑的设计，便于在高密度电路板中使用。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：7A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：10nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=6ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间，同时保持良好的电气性能。
5. 高雪崩击穿能量，增强了器件在瞬态条件下的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 消费类电子产品中的电源管理和保护电路。
5. 工业控制领域中的信号调理和功率调节电路。
IRF7404, AO3400
