STH26N25FI 时间：2025/7/22 13:43:07 阅读：10

STH26N25FI 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，适用于高功率密度和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，能够在高电流和高频率条件下稳定工作。STH26N25FI 采用TO-220FP封装，适用于需要高效散热和高可靠性的应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：26A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.135Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

STH26N25FI MOSFET具有多项优良的电气和热性能。其低导通电阻确保在高电流应用中实现更低的导通损耗，从而提升整体系统效率。该器件具备较高的电流承载能力，在持续工作条件下可稳定输出高达26A的漏极电流，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制等高功率应用场景。
　　此外，STH26N25FI采用先进的封装技术，提供良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定性能。其高耐压特性使其在250V的漏源电压下仍能可靠运行，适用于多种高压电源系统。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频操作，有助于减小功率转换器的体积并提高响应速度。其栅极驱动电压范围宽，支持标准10V至12V的驱动电压，确保兼容多种驱动电路设计。