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STH26N25FI 发布时间 时间:2025/7/22 13:43:07 查看 阅读:12

STH26N25FI 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,适用于高功率密度和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,能够在高电流和高频率条件下稳定工作。STH26N25FI 采用TO-220FP封装,适用于需要高效散热和高可靠性的应用场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):250V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):26A
  导通电阻(Rds(on)):0.135Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STH26N25FI MOSFET具有多项优良的电气和热性能。其低导通电阻确保在高电流应用中实现更低的导通损耗,从而提升整体系统效率。该器件具备较高的电流承载能力,在持续工作条件下可稳定输出高达26A的漏极电流,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制等高功率应用场景。
  此外,STH26N25FI采用先进的封装技术,提供良好的热管理能力,能够在高温环境下保持稳定性能。其高耐压特性使其在250V的漏源电压下仍能可靠运行,适用于多种高压电源系统。
  该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频操作,有助于减小功率转换器的体积并提高响应速度。其栅极驱动电压范围宽,支持标准10V至12V的驱动电压,确保兼容多种驱动电路设计。

应用

STH26N25FI广泛应用于多种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统等。其高效率和高可靠性使其成为许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

STP26NM50ND, STW26NM50ND, IRF260N

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