TFC-130-02-L-D-K-TR 是一款薄膜电容芯片,广泛应用于高频滤波、信号耦合和射频电路中。该型号属于薄膜电容器系列,采用先进的工艺制造,具有低ESR(等效串联电阻)、低ESL(等效串联电感)以及高稳定性等特性。其紧凑的封装设计非常适合现代电子设备对小型化和高性能的需求。
这种电容器通常用于通信设备、医疗仪器、工业控制和汽车电子等领域,能够在宽温度范围内保持稳定的性能。
容量:0.01μF
额定电压:50V
耐压:63V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:径向引线
尺寸:3.2mm x 4.8mm
绝缘电阻:>10GΩ
损耗角正切值:0.0005
TFC-130-02-L-D-K-TR 具有以下显著特性:
1. 高可靠性:该电容器采用了优质的薄膜材料,具备出色的抗老化性能和长寿命。
2. 稳定性:在宽温度范围内,其容量变化极小,能够确保电路性能的一致性。
3. 低损耗:由于使用了先进的薄膜技术,该器件的损耗角正切值非常低,适合高频应用。
4. 小型化设计:紧凑的封装使其适用于空间受限的应用场景。
5. 耐高温:能够在高达+125℃的环境下稳定运行,满足严苛的工作条件要求。
TFC-130-02-L-D-K-TR 主要应用于以下领域:
1. 射频电路中的信号耦合与解耦。
2. 高频电源模块中的滤波。
3. 医疗成像设备中的高频信号处理。
4. 汽车电子系统中的噪声抑制。
5. 工业自动化设备中的高频信号传输。
6. 无线通信设备中的射频前端电路。
TFC-130-02-H-D-K-TR
TFC-130-02-M-D-K-TR