H5TC2G83EFRPBA 是由SK hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度DRAM产品系列。这款芯片广泛应用于需要高性能和大容量内存的设备中,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及消费类电子产品。该型号采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,提供良好的电气性能和散热能力。其主要功能是为设备提供临时数据存储,支持快速读写操作。
容量:2Gb
组织方式:x8/x16
工作电压:1.8V
接口类型:并行接口
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:FBGA
封装尺寸:54-ball FBGA
最大时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
刷新周期:64ms
数据宽度:8位/16位
H5TC2G83EFRPBA具有多项显著特性,使其在高性能存储应用中表现出色。
首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,提供低功耗和高可靠性的特点,适用于各种便携式电子设备。其1.8V的低电压供电设计有助于降低功耗,延长电池寿命。
其次,H5TC2G83EFRPBA支持x8和x16两种数据宽度模式,增加了其在不同应用场景下的灵活性。用户可以根据系统需求选择合适的数据总线宽度,从而优化存储带宽和成本。
此外,该DRAM芯片具备高速访问能力,最大时钟频率可达166MHz,访问时间低至5.4ns,能够满足对数据传输速率要求较高的应用。其64ms的自动刷新周期确保了数据在断电前的稳定存储,减少了数据丢失的风险。
最后,采用54-ball FBGA封装形式,不仅提高了封装密度,还增强了芯片的散热性能和电气性能,使其能够在较宽的温度范围内稳定工作(-40°C至+85°C),适用于工业级和消费级电子产品。
H5TC2G83EFRPBA广泛应用于多种电子设备和系统中,主要面向对内存容量和性能有较高要求的产品。例如,在智能手机和平板电脑中,该芯片可作为系统内存(RAM)用于临时存储运行中的程序和数据,提升设备的多任务处理能力和响应速度。
在嵌入式系统和工业控制设备中,H5TC2G83EFRPBA可以作为主存储器,支持复杂控制算法和实时数据处理任务。其低功耗和宽温特性使其特别适合用于户外或高温环境下的设备。
此外,该芯片也常用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、网络设备和多媒体播放器等。在这些应用中,H5TC2G83EFRPBA能够提供足够的内存容量,支持高清视频解码、图形渲染和网络数据缓冲等功能。
由于其并行接口设计和高速访问能力,H5TC2G83EFRPBA也适用于需要快速数据存取的测试设备和数据采集系统。
H5TC2G83EFRPBA的替代型号包括H5PS1G83EFRPBA、H5TQ2G63EFRPBA和H5DU2G1622BRT026