容量：2Gb
　　组织方式：x8/x16
　　工作电压：1.8V
　　接口类型：并行接口
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　最大时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　数据宽度：8位/16位
　　

H5TC2G83EFRPBA具有多项显著特性，使其在高性能存储应用中表现出色。
　　首先，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，提供低功耗和高可靠性的特点，适用于各种便携式电子设备。其1.8V的低电压供电设计有助于降低功耗，延长电池寿命。
　　其次，H5TC2G83EFRPBA支持x8和x16两种数据宽度模式，增加了其在不同应用场景下的灵活性。用户可以根据系统需求选择合适的数据总线宽度，从而优化存储带宽和成本。
　　此外，该DRAM芯片具备高速访问能力，最大时钟频率可达166MHz，访问时间低至5.4ns，能够满足对数据传输速率要求较高的应用。其64ms的自动刷新周期确保了数据在断电前的稳定存储，减少了数据丢失的风险。
　　最后，采用54-ball FBGA封装形式，不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能和电气性能，使其能够在较宽的温度范围内稳定工作（-40°C至+85°C），适用于工业级和消费级电子产品。

H5TC2G83EFRPBA广泛应用于多种电子设备和系统中，主要面向对内存容量和性能有较高要求的产品。例如，在智能手机和平板电脑中，该芯片可作为系统内存（RAM）用于临时存储运行中的程序和数据，提升设备的多任务处理能力和响应速度。
　　在嵌入式系统和工业控制设备中，H5TC2G83EFRPBA可以作为主存储器，支持复杂控制算法和实时数据处理任务。其低功耗和宽温特性使其特别适合用于户外或高温环境下的设备。
　　此外，该芯片也常用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、网络设备和多媒体播放器等。在这些应用中，H5TC2G83EFRPBA能够提供足够的内存容量，支持高清视频解码、图形渲染和网络数据缓冲等功能。
　　由于其并行接口设计和高速访问能力，H5TC2G83EFRPBA也适用于需要快速数据存取的测试设备和数据采集系统。

H5TC2G83EFRPBA的替代型号包括H5PS1G83EFRPBA、H5TQ2G63EFRPBA和H5DU2G1622BRT026