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TF90N03 发布时间 时间:2025/4/29 14:11:15 查看 阅读:3

TF90N03是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大漏极电流:90A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关时间:ton=24ns, toff=18ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用环境。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗并适应高频电路设计需求。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 紧凑的封装形式,便于PCB布局与散热管理。

应用

1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 太阳能逆变器和其他功率转换设备中的功率开关。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
  5. 各类高性能DC-DC转换器的设计与实现。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF03L
  FDP90N03
  IXFK90N03T
  AOI90N03

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