时间：2025/5/24 14:02:11
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TF8N10G是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景中。它具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能，适合于高效率功率转换应用。
TF8N10G采用TO-220封装形式，这使得其具备较好的散热能力，同时便于安装和使用。该器件的耐压为100V，能够满足大多数低压系统的功率管理需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：75W（在TA=25℃时）
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适用于开关电源和其他高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 较小的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，适应严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路中的电子开关。
5. 电池管理系统中的充放电路径控制。
6. 各种工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF840, STP8NK60Z, FDN337N
