时间：2025/5/23 15:29:47
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L2N7002FLT1G 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。这款器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装，提供良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：49A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：85nC
总耗散功率（Ptot）：144W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
L2N7002FLT1G 具有低导通电阻特性，有助于降低功率损耗并提高效率。
该器件的快速开关能力使其非常适合高频开关应用。
其逻辑电平驱动设计简化了与数字控制器的接口设计。
具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
表面贴装封装形式便于自动化生产和组装。
符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造要求。
L2N7002FLT1G 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、负载开关以及其他需要高效功率管理的领域。
它特别适合需要高电流处理能力和低功耗的设计场景，例如工业设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。
IRLB8748PBF
IXFN40N06L
FDP5800
AO3400
