时间：2025/4/30 10:01:34
阅读：3
TF70N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关的应用中。其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效率功率转换的理想选择。
TF70N03的设计旨在承受高达30V的漏源极电压，并提供最大化的电流处理能力。该器件采用TO-252封装，适合表面贴装技术，有助于提高电路板设计的灵活性和可靠性。
漏源极击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V~2.5V
连续漏极电流：70A
导通电阻（典型值）：4mΩ
总功耗：18W
工作结温范围：-55℃~175℃
1. 高电流承载能力，最大支持70A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻，仅为4mΩ，从而减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，适用于高频应用。
4. 小型化封装（TO-252），便于表面贴装工艺，适合现代电子设备的小型化需求。
5. 广泛的工作温度范围，从-55℃到175℃，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 提供良好的抗雪崩能力和热稳定性，确保在过载或异常条件下仍能可靠工作。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各种工业自动化和消费类电子产品中的功率管理模块。
6. LED照明驱动电路中的开关元件。
IRFZ44N
FDP5800
STP70NF03L
