时间：2025/9/1 10:02:59
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IS61NLP51236B-200TQLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用了先进的CMOS工艺制造，提供了高性能、低功耗和高可靠性，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信模块等应用。这款SRAM芯片的容量为512K x 36位，工作频率可达200MHz，封装为165引脚Thin Quad Flatpack（TQFP），并支持低功耗模式，适用于便携式和电池供电设备。
容量：512K x 36位
组织结构：512K地址 x 36数据位
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：200MHz（5ns）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165引脚TQFP（薄型四方扁平封装）
封装尺寸：24mm x 24mm
引脚数量：165
输入/输出电平：兼容TTL
最大工作电流：约200mA（典型值）
待机电流：小于10mA
数据保持电压：最小2V
写入周期时间：5ns
读取周期时间：5ns
地址访问延迟：5ns
数据输出保持时间：2.5ns
IS61NLP51236B-200TQLI是一款高性能异步SRAM，采用了先进的CMOS工艺，确保了高速访问和低功耗运行。该芯片的最大工作频率可达200MHz，访问时间仅为5ns，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。其支持的电压范围为2.3V至3.6V，使其能够灵活地集成到不同电压系统的电路中，适用于多种应用场景。
该芯片采用了165引脚TQFP封装，具有较小的封装尺寸（24mm x 24mm），适合空间受限的设计。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在工业级环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。
IS61NLP51236B-200TQLI具备低功耗待机模式，待机电流小于10mA，数据保持电压低至2V，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，该芯片具有较强的抗干扰能力，输入/输出引脚兼容TTL电平，便于与多种逻辑电路接口。
其异步操作模式无需外部时钟信号，简化了系统设计，提高了系统的稳定性和可靠性。该SRAM芯片的写入和读取周期时间均为5ns，地址访问延迟也为5ns，确保了高效的数据传输速率。数据输出保持时间为2.5ns，保证了数据在读取过程中的稳定性。
IS61NLP51236B-200TQLI广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统、工业自动化设备、网络路由器、通信基站、医疗仪器、测试设备和便携式电子设备。其低功耗特性也使其适用于电池供电系统，如无线传感器节点和手持终端设备。
IS61NLP51236B-200TQ, IS61LV51236B-200TQLI, CY7C1555V18-200BZXC, IDT71V416S200PFG
