时间：2025/8/3 10:26:59
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TF5554N是一款由Toshiba（东芝）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。它广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及需要高效率、低导通损耗的电路中。该MOSFET具备较高的耐压和电流能力，适用于中高功率的电子系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续：14A（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on))：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装形式：TO-252（DPAK）
TF5554N具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（100V）使其适用于多种电源转换应用，包括Boost和Buck转换器。该器件还具备良好的热稳定性和较高的电流承受能力，适合用于高密度电源设计。此外，TF5554N的封装形式（TO-252）提供了良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定运行。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制电路集成。
该MOSFET还具有较低的输入电容和反馈电容，有助于提高开关速度并减少开关损耗。其高雪崩能量耐受能力也增强了在突发负载或电感反冲情况下的可靠性。TF5554N在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子系统。
TF5554N广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池充电与管理系统以及工业自动化设备。此外，它也适用于汽车电子系统中的电源转换模块、LED照明驱动电路以及不间断电源（UPS）等高可靠性应用场景。
SiHF55N10-T2-GE3, IPP55N10N3G, FDD55N10A, FDS5554N
