TF5134N 时间：2025/8/2 23:28:33 阅读：38

TF5134N 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他中高功率应用场景。TF5134N 采用高密度沟槽式 MOSFET 技术，能够在较小的封装中提供较高的电流承载能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：28mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

TF5134N 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为 4A，适合用于中功率电源转换和管理应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，最大可达 ±20V，这为设计提供了更大的灵活性，同时保证了在不同工作条件下的稳定性。
　　TF5134N 采用 SOP-8 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，同时具备良好的热性能，有助于提高系统的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使其适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

TF5134N 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及各类电源管理模块。
　　由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式设备和电源适配器。
　　在电池供电系统中，TF5134N 可用作高侧或低侧开关，以实现对负载的精确控制和节能管理。
　　该器件还可用于 LED 照明驱动、智能电表和工业自动化控制系统中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。