J2N3764 时间：2025/9/3 6:35:26 阅读：30

J2N3764 是一款经典的 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于模拟电路和高频放大器中。该器件具有高输入阻抗和低噪声特性，使其在前置放大器、音频设备和射频（RF）应用中表现出色。J2N3764 采用 TO-92 封装，结构紧凑，适用于多种通用电子电路设计。

参数

类型：N 沟道 JFET
　　漏源电压（Vds）：25V
　　栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大漏极电流（Id）：10mA
　　跨导（Gm）：2000μS 至 7500μS（典型值 4000μS）
　　输入电容（Ciss）：8pF（典型值）
　　封装形式：TO-92

特性

J2N3764 作为一款通用型 N 沟道 JFET，具有多项显著的电气和物理特性。首先，其高输入阻抗特性使其非常适合用于高阻抗信号源的前置放大电路中，能够有效减少对信号源的负载影响。其次，该器件具有较低的跨导变化范围，能够在较宽的频率范围内提供稳定的增益表现，适用于音频和射频放大应用。
　　此外，J2N3764 的漏源电压最大可达 25V，栅源电压也为 -25V，具备良好的电压承受能力，适应多种工作环境。其最大漏极电流为 10mA，足以支持中等功率信号的放大任务。
　　在高频性能方面，J2N3764 的输入电容较低，典型值为 8pF，有助于减少高频信号的失真和相位延迟，从而在射频和音频放大器中提供更清晰的信号传输。其 TO-92 封装形式也便于手工焊接和在通用电路板上的应用，适合实验、原型设计以及小批量生产。
　　该器件的制造工艺成熟，性能稳定，成本低廉，是许多模拟电路设计中的首选 JFET 之一。其广泛的应用基础也意味着在很多电路设计手册和教学资料中都能找到相关的使用案例和设计参考。