TF504110P是一款高性能的场效应晶体管(FET),主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:41A
导通电阻:1.0mΩ
总栅极电荷:87nC
输入电容:3390pF
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
2. 高雪崩能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 小型封装设计,便于PCB布局优化。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 良好的热稳定性和电气特性,适应严苛的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 充电器和适配器中的同步整流。
6. LED照明驱动电路中的功率管理元件。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570
AO3400