型号：TF464EF
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　连续漏极电流（ID）：-4.6A
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-30V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：70mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　栅极电荷（Qg）：9nC @ VDS = 15V
　　输入电容（Ciss）：400pF @ VDS = 15V
　　功耗（PD）：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　通道数：单通道

TF464EF 采用 Vishay 的 TrenchFET? 技术，这项先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻并提升了开关速度。该技术通过在硅衬底上构建垂直沟道结构，使得电流路径更加高效，从而减少了传导损耗。相比于传统的平面型 MOSFET，TrenchFET? 结构提供了更高的单位面积载流能力，这在有限的封装尺寸内实现了卓越的性能表现。这种设计特别适合用于需要高效率和低静态功耗的应用场合，如移动设备中的电源管理系统。
　　该器件的低 RDS(on) 特性是其核心优势之一。在 -10V 栅极驱动条件下，其典型导通电阻仅为 55mΩ，而在更常见的 -4.5V 逻辑电平驱动下也能保持 70mΩ 的低阻值。这意味着即使在大电流负载下，器件的功率损耗依然可控，有助于提高整体系统的能效并减少散热需求。此外，较低的导通电阻还意味着可以使用更细的 PCB 走线或连接器，进一步节省布板空间和成本。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。TF464EF 具有较低的栅极电荷（Qg = 9nC）和输入电容（Ciss = 400pF），这使得它能够快速开启和关闭，从而减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路尤为重要。快速的开关响应也有助于降低电磁干扰（EMI）水平，提升系统的电磁兼容性。同时，较低的驱动电荷需求也减轻了控制器的负担，允许使用更低驱动能力的逻辑 IC 来控制该 MOSFET。
　　TF464EF 还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大结温可达 +150°C，在正常工作条件下具有较长的使用寿命。器件内部采用了稳健的钝化层和金属化工艺，增强了抗湿性和抗腐蚀能力，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。此外，该器件通过了 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车级应用。综合来看，TF464EF 凭借其先进工艺、低损耗特性和紧凑封装，成为众多高性能电源管理方案中的优选器件。

TF464EF 广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用作电池供电路径上的负载开关或反向电流保护元件。由于这些设备对体积和能耗极为敏感，TF464EF 的小封装和低导通电阻特性使其成为理想选择。当系统进入待机或关机模式时，可通过关闭 TF464EF 来切断非必要模块的供电，有效延长电池续航时间。
　　在电源管理电路中，TF464EF 可用于 DC-DC 降压变换器的高端开关或用于同步整流拓扑中的续流路径控制。虽然 P 沟道 MOSFET 在同步整流中不如 N 沟道常见，但在某些简化设计中仍具优势，特别是在输入电压较低且希望避免复杂自举电路的情况下。此时，TF464EF 的逻辑电平兼容性允许直接由 PWM 控制器驱动，无需额外的电平移位或驱动电路。
　　工业控制系统和嵌入式设备也常采用 TF464EF 实现电源多路复用、热插拔控制或电机方向切换等功能。例如，在 H 桥驱动电路中，P 沟道 MOSFET 可作为上桥臂开关，配合 N 沟道下桥臂完成直流电机的正反转控制。此外，该器件还可用于过压/欠压保护电路中，作为受控开关元件响应保护信号，及时切断负载电源以防止损坏。
　　通信设备和网络模块中，TF464EF 被用于隔离不同功能单元的供电域，实现按需上电和节能管理。其快速响应能力和高可靠性确保了系统在频繁启停操作下的稳定性。总之，TF464EF 凭借其电气性能和物理特性，适用于各种中低功率、高效率的开关应用场景。

Si2301DDS-T1-E3
　　FDMC8878
　　AO3401A
　　BSS84