TF40N10KG是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装形式。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):6mΩ
栅极电荷(Qg):49nC
总电容(Ciss):3370pF
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻Rds(on),可显著减少传导损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 具备强大的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 小巧的TO-252封装有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 内置ESD保护功能,提高了使用时的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机控制与驱动电路中的电子开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统(BMS)中的关键功率组件。
IRFZ44N
STP40NF10
FDP55N10