您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TF40N10KG

TF40N10KG 发布时间 时间:2025/5/9 18:56:24 查看 阅读:13

TF40N10KG是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装形式。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):6mΩ
  栅极电荷(Qg):49nC
  总电容(Ciss):3370pF
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

1. 超低导通电阻Rds(on),可显著减少传导损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 具备强大的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小巧的TO-252封装有助于节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 内置ESD保护功能,提高了使用时的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机控制与驱动电路中的电子开关。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电池管理系统(BMS)中的关键功率组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF10
  FDP55N10

TF40N10KG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价