TF3050F-B 是一款高性能的场效应晶体管(FET),主要用于开关和放大应用。它属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
该器件采用 TO-252 封装形式,能够提供出色的散热性能和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:8A
导通电阻:10mΩ
栅极电荷:15nC
总耗散功率:2.1W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻,可降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 支持表面贴装技术,简化了制造工艺。
5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 电池保护和负载切换。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的信号放大与开关功能。
IRF7409, FDP17N50C, SI4463DY