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TF3050F-B 发布时间 时间:2025/4/29 17:15:13 查看 阅读:4

TF3050F-B 是一款高性能的场效应晶体管(FET),主要用于开关和放大应用。它属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
  该器件采用 TO-252 封装形式,能够提供出色的散热性能和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:15nC
  总耗散功率:2.1W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低导通电阻,可降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 支持表面贴装技术,简化了制造工艺。
  5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 电池保护和负载切换。
  5. 各种工业控制和消费类电子产品中的信号放大与开关功能。

替代型号

IRF7409, FDP17N50C, SI4463DY

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