时间：2025/6/21 21:23:34
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TF2184M-TR 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型技术设计。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动和 DC/DC 转换器等场景中，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款器件采用了先进的封装工艺，确保其在恶劣环境下仍能保持稳定性能。同时，其出色的散热特性和坚固的电气参数使其成为许多工业和消费类电子应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：43A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：12ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用环境。
3. 具备强大的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，节省电路板空间，便于紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料使用。
6. 高可靠性设计，适用于严苛的工作条件。
1. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流。
2. 电机驱动和控制中的功率级管理。
3. 电池保护电路以及负载开关。
4. DC/DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 各种便携式电子产品中的高效功率传输解决方案。
IRF2184PBF, FDP047N06L, AOT2184L
