型号：TF2123G-E3-AQ3-R
　　封装类型：SOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大输出功率：约 65W（典型应用）
　　输入电压范围：85VAC ~ 265VAC（宽电压输入）
　　集成MOSFET耐压：650V
　　启动电流：<10μA
　　工作频率范围：50kHz ~ 100kHz（可变）
　　控制模式：电流模式PWM + 准谐振（QR）
　　反馈类型：光耦反馈（Primary-Side Sensing）
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、过温保护（OTP）
　　环保标准：符合RoHS，无卤素

TF2123G-E3-AQ3-R采用先进的准谐振控制技术，能够在反激变换器中实现零电压开关（ZVS），有效降低主开关管的开通损耗，提升电源转换效率，尤其在中高负载条件下表现优异。这种控制方式通过检测变压器初级侧漏感与MOSFET输出电容形成的振荡波形，智能判断谷底点并在此时触发MOSFET导通，从而大幅减小dv/dt应力和电磁干扰（EMI）。相较于传统的固定频率PWM控制器，准谐振模式不仅提高了能效，还能减少散热需求，允许使用更小体积的散热结构，有利于终端产品小型化设计。
　　该芯片具备极低的启动电流（低于10μA），使得系统可以在极短时间内完成启动过程，同时显著降低待机功耗。这一特性对于需要满足严格能效法规（如Energy Star、DoE Level VI、CoC Tier 2等）的产品尤为重要。配合频率折叠和突发模式（Burst Mode）控制，芯片在轻载或空载状态下可动态调整开关频率甚至进入间歇振荡状态，最大限度地抑制不必要的能量消耗，实现低于75mW的空载功耗设计目标。
　　在系统安全性方面，TF2123G-E3-AQ3-R集成了多重保护机制。过压保护通过监测辅助绕组电压实现，防止输出电压异常升高损坏负载；过流保护则根据原边峰值电流进行判断，并结合前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术避免因开关噪声引起的误触发；短路保护在检测到持续异常电流后将进入打嗝模式（Hiccup Mode），限制平均功耗并尝试自动重启；过温保护则利用片内温度传感器实时监控结温，当超过阈值时关闭输出以防止热失效。这些保护功能均经过严格测试验证，确保在各种异常工况下仍能维持系统稳定与用户安全。
　　此外，该芯片支持原边反馈（Primary-Side Regulation, PSR）技术，无需次级端的TL431和光耦即可实现精确的输出电压调节，简化了电路结构，节省了PCB空间和物料成本。通过采样辅助绕组电压来估算输出电压，并结合内部补偿算法，可实现±5%以内的电压精度控制，适用于对成本敏感但性能要求较高的应用场景。其SOP-8封装兼具良好的散热性能与紧凑尺寸，适合高密度布局的设计需求。

TF2123G-E3-AQ3-R广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，特别适用于液晶电视、显示器、机顶盒、网络摄像头、智能家居控制面板以及便携式医疗设备中的背光驱动与主电源模块。由于其具备高集成度、高效能和低待机功耗的特点，常被用于设计符合国际能效标准的AC-DC适配器和内置电源（Internal Power Supply）。在LED照明领域，该芯片也可用于驱动中等功率的LED灯串，提供稳定的恒压输出，并具备良好的调光兼容性。此外，凭借其出色的EMI抑制能力和可靠的保护机制，TF2123G-E3-AQ3-R也适用于工业控制设备、安防监控系统以及车载信息娱乐系统的辅助电源设计。其工作温度范围宽，支持-40°C至+125°C的环境操作，使其能够在高温或低温极端条件下稳定运行，适用于户外或工业级应用场合。由于其封装和工艺符合车规相关可靠性标准（AQ3可能指向AEC-Q100认证等级），该器件在汽车电子中的非主驱类电源模块中也有潜在应用价值，例如车载显示系统或后排娱乐电源单元。

OB2273MP
　　LNK626PG
　　TNY67EG
　　BP3326A