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AUIRFR3504TRL 发布时间 时间:2025/5/30 12:21:42 查看 阅读:10

AUIRFR3504TRL 是一款由 Infineon(英飞凌)推出的汽车级功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型技术,主要设计用于高效率、高性能的汽车电子应用中。其优化的 RDS(on) 参数和封装形式使其能够适应苛刻的工作环境,并提供可靠的性能。
  该芯片基于 Trench 工艺制造,具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它适用于需要高效能功率开关的场景,例如电动助力转向系统(EPS)、直流电机驱动、LED 驱动以及各类车载电源管理模块等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:278A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:70nC
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TOLL(TO-Leadless)

特性

AUIRFR3504TRL 的主要特点是具备极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
  此外,该器件还具有快速开关性能和出色的热稳定性,能够有效应对汽车环境中可能出现的温度变化。
  TOLL 封装进一步增强了散热性能,同时减少了寄生电感的影响,从而提升了系统的可靠性和耐用性。
  由于采用了符合汽车标准的生产流程,AUIRFR3504TRL 符合 AEC-Q101 认证要求,确保了在严苛工况下的稳定运行。

应用

该功率 MOSFET 主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 电动助力转向系统(EPS),为电机提供高效的驱动信号。
  2. 直流无刷电机控制,如电动车窗、座椅调节等。
  3. LED 照明驱动电路,用于车头灯、尾灯和其他内部照明系统。
  4. 车载充电器及 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  5. 各类电池管理系统(BMS)中的负载切换功能。

替代型号

IRFR3504S,
  AUIRF3504S

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AUIRFR3504TRL参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压40 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流87 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)9.2 mOhms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg48 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散140 W
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间36 ns