时间：2025/5/21 12:20:01
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TF20N06是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合于中低压应用场景。
型号：TF20N06
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：25mΩ
Id（持续漏极电流）：20A
栅极电荷（Qg）：13nC
输入电容（Ciss）：780pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-220
TF20N06具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，适用于大电流应用场合。
3. 快速开关性能，支持高频开关电路设计。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 封装为标准的TO-220，便于安装和散热处理。
TF20N06主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各类保护电路中的电子开关。
5. 工业控制设备中的功率调节模块。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP18N06L
