IRFL210TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-220AB 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐用性,广泛应用于电源管理、电机驱动和各类开关电路中。由于其高性能和可靠性,IRFL210TR 成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
型号:IRFL210TR
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):55V
RDS(on)(导通电阻,典型值,25°C):7.5mΩ
ID(连续漏极电流):34A
Qg(总栅极电荷):9nC
fT(过渡频率):3.6MHz
封装:TO-220AB
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
PD(最大耗散功率):150W
IRFL210TR 是一种专为高效功率转换设计的 MOSFET。它具备以下特点:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够在高频和大电流条件下显著降低传导损耗。
2. 高开关速度,得益于较低的栅极电荷 (Qg),适合于快速切换的应用场景。
3. 良好的热性能,能够承受较高的结温,确保在恶劣环境下的稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品制造流程。
5. 紧凑的 TO-220AB 封装,易于集成到各种电路板设计中。
IRFL210TR 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心元件。
3. 各种电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
7. LED 驱动器和其他需要高效功率传输的应用场景。
IRFZ44N, IRF540N, FDP58N06L