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IRFL210TR 发布时间 时间:2025/4/29 13:58:26 查看 阅读:3

IRFL210TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-220AB 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐用性,广泛应用于电源管理、电机驱动和各类开关电路中。由于其高性能和可靠性,IRFL210TR 成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

型号:IRFL210TR
  类型:N沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):55V
  RDS(on)(导通电阻,典型值,25°C):7.5mΩ
  ID(连续漏极电流):34A
  Qg(总栅极电荷):9nC
  fT(过渡频率):3.6MHz
  封装:TO-220AB
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  PD(最大耗散功率):150W

特性

IRFL210TR 是一种专为高效功率转换设计的 MOSFET。它具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够在高频和大电流条件下显著降低传导损耗。
  2. 高开关速度,得益于较低的栅极电荷 (Qg),适合于快速切换的应用场景。
  3. 良好的热性能,能够承受较高的结温,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品制造流程。
  5. 紧凑的 TO-220AB 封装,易于集成到各种电路板设计中。

应用

IRFL210TR 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器和逆变器的核心元件。
  3. 各种电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
  7. LED 驱动器和其他需要高效功率传输的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FDP58N06L

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IRFL210TR参数

  • 数据列表IRFL210
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C960mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 580mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)