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MB87L5030 发布时间 时间:2025/12/29 17:01:16 查看 阅读:7

MB87L5030是一款由富士通(Fujitsu)制造的16位静态随机存取存储器(SRAM),具有高速访问时间和低功耗特性。这款存储器采用CMOS工艺制造,适用于需要高性能和低功耗的应用场合。

参数

容量:16位x 1024
  访问时间:8ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:TSOP
  数据输出类型:三态输出
  时钟频率:无(异步SRAM)
  输入/输出接口:并行

特性

MB87L5030的主要特性包括高速访问时间(8ns),支持快速的数据读取和写入操作,非常适合需要实时数据处理的应用。该器件采用低电压3.3V供电,有效降低了功耗,提高了系统的能效。其工业级工作温度范围确保在严苛的环境条件下仍能稳定运行。此外,MB87L5030采用TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸,适合高密度PCB布局设计。异步接口设计简化了与控制器的连接,无需时钟同步即可实现数据传输。
  该SRAM具备三态输出功能,允许在共享总线系统中与其他设备共存,避免信号冲突。其高可靠性和稳定性使其在工业控制、通信设备和嵌入式系统中广泛应用。

应用

MB87L5030常用于需要高性能和低功耗的场合,例如工业控制系统、通信设备、嵌入式系统、测试仪器和医疗设备等。

替代型号

CY62167VLL-85ZSXI, IS61WV102416BLL-8A, IDT71V416S10Y.55DC

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