时间：2025/3/27 10:30:42
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TF16VN是一种N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于功率管理、开关电源和负载切换等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频应用环境。其封装形式为SOT-23，非常适合空间受限的设计需求。
TF16VN通过优化的制造工艺实现了卓越的电气性能，同时具备良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：120mΩ
总功耗：450mW
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频电路设计。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 良好的热稳定性，在宽温范围内保持一致性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 栅极电荷低，驱动简单且高效。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的信号切换。
5. 工业控制系统的电机驱动电路。
6. 照明系统中的LED驱动器。
AO3400
IRLML6402
FDS8947
