型号：TF12N50
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：12A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：≤ 0.65Ω
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V, TJ = 125°C）：≤ 0.975Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值约58nC
　　输入电容（Ciss）：典型值约1100pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值约15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值约45ns
　　反向恢复时间（trr）：典型值约45ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

TF12N50采用了高性能的平面栅工艺，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻，从而有效提升了功率转换效率。其低至0.65Ω的RDS(on)确保了在大电流工作状态下仍能维持较小的导通损耗，这对于提高电源系统的整体能效至关重要。同时，该器件具备良好的热稳定性，随着结温上升，RDS(on)的增长较为平缓，避免了因温度升高导致的恶性循环现象，提高了长期运行的可靠性。
　　该MOSFET具有适中的栅极电荷（Qg ≈ 58nC），使其在高频开关应用中表现出优异的动态性能。较低的Qg意味着驱动电路所需提供的驱动功率更少，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。与此同时，输入电容（Ciss）控制在合理范围内，减少了对前级驱动的影响，提升了系统的响应速度。其开启和关断延迟时间较短，配合较快的上升和下降时间，可支持高达数十kHz甚至更高的开关频率操作，适用于PWM调光、开关电源等高频应用场景。
　　TF12N50具备较强的抗雪崩能力和抗过压冲击能力，能够在非钳位感性负载切换过程中承受一定的能量应力，防止器件因瞬时过压而损坏。这种坚固的结构设计增强了其在恶劣工况下的生存能力，尤其适合用于电机启动、继电器驱动等存在较大反电动势的场合。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 45ns），可在同步整流或续流路径中发挥良好作用，进一步优化系统性能。

TF12N50广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、PC电源模块以及工业用直流电源设备。其500V的耐压等级使其能够适应宽范围交流输入（例如90VAC~265VAC）的应用环境，特别适用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的主开关管角色。在这些电路中，TF12N50负责周期性地接通和切断变压器初级侧电流，实现能量的传递与调节，因此对其开关速度、导通损耗和可靠性均有较高要求，而该器件恰好能满足这些需求。
　　在DC-DC变换器领域，TF12N50可用于Buck、Boost或半桥拓扑结构中的主功率开关元件，尤其是在输入电压较高的场景下表现优异。例如，在太阳能逆变器前端升压电路或电动汽车充电桩的辅助电源模块中，该MOSFET可以作为关键的功率控制单元使用。此外，它也常见于电机控制电路中，用于实现对小型直流电机或步进电机的启停与调速控制，凭借其快速响应能力和较高的电流承载能力，保障了电机运行的平稳性与可控性。
　　其他典型应用还包括电子镇流器、UPS不间断电源、逆变焊机、家电变频控制系统等。由于其采用TO-220封装，便于安装散热片，适用于自然冷却或强制风冷的散热方式，因此在没有复杂散热设计的小型化设备中也能可靠运行。总体而言，TF12N50是一款通用性强、性价比高的高压MOSFET，适用于多种对成本和性能有综合考量的工业与消费类电源产品。

12N50C, FQA12N50, K12N50, STF12N50, G12N50