时间:2025/12/28 1:31:44
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CBW201209U181是一款由华科半导体有限公司(HuaKe Semiconductor)推出的高压、大电流肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD),专为高效能电源转换应用设计。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具备低正向压降、快速开关响应和高可靠性等优点,广泛适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电池充电系统以及各类消费类电子设备的整流电路中。CBW201209U181封装在紧凑的SMA(DO-214AC)表面贴装封装中,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产流程。其额定反向重复电压为180V,最大平均整流电流可达2A,在高温环境下仍能保持优异的电气性能,是替代传统快恢复二极管的理想选择。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于现代绿色能源与节能电子产品设计需求。由于其出色的热稳定性和抗浪涌能力,CBW201209U181在持续高负载运行条件下表现出较低的功耗和温升,有助于提升整个系统的效率和寿命。
型号:CBW201209U181
封装类型:SMA (DO-214AC)
最大重复反向电压(VRRM):180V
最大直流阻断电压(VR):180V
最大平均整流电流(IO):2A
峰值正向浪涌电流(IFSM):60A(单个半正弦波,8.3ms)
最大正向压降(VF):0.92V @ IF=2A, TJ=25°C
最大反向漏电流(IR):200μA @ VR=180V, TJ=25°C;10mA @ VR=180V, TJ=125°C
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C ~ +150°C
热阻抗(RθJA):约70°C/W(典型值,依PCB布局而定)
安装方式:表面贴装(Surface Mount)
CBW201209U181的核心优势在于其优化的肖特基势垒结构设计,实现了极低的正向导通压降与较高的反向耐压之间的良好平衡。在2A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.92V,显著低于传统PN结二极管,从而大幅降低了导通损耗,提高了电源系统的整体转换效率。这一特性特别适用于对能效要求较高的应用场景,如笔记本电脑适配器、LED驱动电源和便携式充电设备。同时,由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的开关速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了高频工作的稳定性。
该器件在高温环境下的反向漏电流控制也表现优异。虽然随着结温升高,漏电流会有所增加,但在125°C时最大反向漏电流仍被限制在10mA以内,确保了在高功率密度设计中长期运行的可靠性。此外,CBW201209U181具备较强的浪涌电流承受能力,可耐受高达60A的非重复性峰值电流冲击,增强了其在启动或异常工况下的鲁棒性。其SMA封装形式不仅节省空间,还具备良好的热传导路径,配合合理的PCB铜箔设计,能够有效将热量传递至电路板,避免局部过热导致的性能下降或失效。综合来看,CBW201209U181在效率、可靠性和热管理方面均达到了较高水平,是一款适用于中等功率整流任务的高性能肖特基二极管。
CBW201209U181广泛应用于各类中低功率开关电源系统中,尤其适合作为输出整流二极管使用。在AC-DC适配器、手机充电器、USB PD电源模块等消费类电子产品中,该器件凭借其低正向压降和快速响应特性,有助于实现小型化和高效率的设计目标。在DC-DC降压或升压转换器中,它常用于续流(flyback)或同步整流辅助路径,减少能量损耗并提升动态响应能力。此外,该二极管也可用于逆变电源、太阳能充电控制器和电动工具电源模块中,承担主整流或保护功能。在电池管理系统(BMS)中,CBW201209U181可用于防止电流倒灌,起到单向导通隔离的作用。由于其具备较高的反向耐压(180V),在某些PFC(功率因数校正)电路中也可作为辅助整流元件使用。工业控制设备、智能家居电源模块以及车载电子附件供电单元中,该器件同样表现出良好的适应性和稳定性。得益于其表面贴装封装,CBW201209U181非常适合自动化回流焊工艺,满足现代大批量生产的制造需求。
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"SR2180",
"MBR2U180",
"SB2180",
"B540C",
"MBR260"
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