时间：2025/8/6 10:13:06
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IXGH25N100U1是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理和电气性能，适用于电源转换、电机控制、逆变器设计以及其他需要高效能开关的工业和电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：25A
漏极-源极击穿电压（Vds）：1000V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXGH25N100U1具有低导通电阻特性，这使得它在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体效率。
该MOSFET能够承受高达1000V的漏极-源极电压，适用于高电压操作环境，如高压电源转换器和电机驱动器。
其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该器件的栅极驱动要求相对较低，可以在较宽的栅极电压范围内稳定工作，简化了驱动电路的设计。
IXGH25N100U1还具备较高的短路耐受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和寿命。
IXGH25N100U1广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的高电压开关电路。
由于其高耐压能力和低导通损耗，该MOSFET非常适合用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备等新能源领域。
在工业控制领域，IXGH25N100U1可以作为功率开关用于驱动大功率负载，如加热元件和电动机。
此外，该器件也可用于高频率开关应用，如谐振转换器和软开关电路，以实现更高的效率和更小的系统尺寸。
IXFH25N100P
IXTH25N100P
