时间：2025/4/30 16:41:34
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TF110P03N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的MOSFET器件，属于PowerMOS系列。该器件采用TO-220封装形式，主要应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等领域。TF110P03N具备低导通电阻和高开关速度的特性，使其非常适合于高效能的电源管理系统。
该器件采用了先进的制造工艺，能够在高压环境下保持稳定运行，并且具有良好的热性能和电气性能。
型号：TF110P03N
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：8.5mΩ
Id（连续漏极电流）：110A
Ptot（总功耗）：140W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ to +175℃
栅极电荷（Qg）：65nC
输入电容（Ciss）：3390pF
TF110P03N具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用环境。
3. 高额定电流能力，确保在大电流负载下稳定运行。
4. 优异的热稳定性，能够承受高温工作条件，适用于严苛环境下的应用。
5. 具备反向恢复电荷低的特性，进一步优化了动态性能。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足现代电子产品的环保要求。
TF110P03N广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的大电流负载控制，例如电动座椅、雨刷器等。
IRFZ44N, FDP16N10E, STP110N3L
