TF10N65 时间：2025/9/23 12:59:57 阅读：13

TF10N65是一款由TSC（台湾半导体公司）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和高耐压能力的电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，在保证高性能的同时降低了开关损耗。TF10N65的漏源击穿电压高达650V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于工业控制、照明电源及消费类电子产品中的高压工作环境。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热传导性能，便于在高功率密度设计中进行散热管理。此外，该MOSFET具有低输入电容和快速响应能力，使其在高频开关应用中表现出色。内置的体二极管也增强了其在感性负载切换过程中的可靠性。整体而言，TF10N65是一款性价比高、稳定性强的中等功率高压MOSFET解决方案，适合用于替代其他主流品牌同规格产品。

参数

型号：TF10N65
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：10A（@TC=25℃）
　　连续漏极电流（Idc）：典型值4A（@Tc=100℃）
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V（@Vds=Vgs, Id=250μA）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（@Vgs=10V, Id=5A）
　　最大功耗（Pd）：125W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：典型值950pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值65pF
　　上升时间（tr）：典型值45ns
　　下降时间（tf）：典型值75ns

特性

TF10N65具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在650V高耐压条件下仍能保持较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提升系统整体效率。器件采用了优化的平面场效应晶体管结构，提升了载流子迁移率，从而在大电流下实现更平稳的电流传输。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC（@Vds=500V, Id=10A, Vgs=10V），这意味着驱动电路所需的能量较小，有利于简化驱动设计并减少驱动芯片的负担，特别适用于高频PWM控制场景。
　　该器件具有较强的抗雪崩能力和坚固的晶圆设计，能够在瞬态过压或短路情况下维持一定的安全裕度，提高了系统的鲁棒性。其体二极管具备较快的反向恢复速度，减少了在桥式电路或同步整流应用中因反向恢复引起的额外损耗和电磁干扰问题。此外，TF10N65的工作结温最高可达150℃，配合合理的散热措施可长期稳定运行于高温环境中，满足工业级应用需求。
　　封装方面，TO-220形式不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导路径，使芯片产生的热量能有效传递至散热片，避免局部过热导致性能下降或失效。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。同时，其引脚兼容多种国际标准N沟道MOSFET，方便在现有设计中进行替换或升级。综合来看，TF10N65在高压、中功率应用场景中展现出优异的性价比和可靠性，是电源管理系统中理想的开关元件选择。

应用

TF10N65广泛应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，包括AC-DC适配器、离线式反激电源、LLC谐振变换器以及有源PFC电路。由于其650V的高耐压能力和良好的动态响应特性，特别适合用于通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的电源设计。在LED恒流驱动电源中，该器件可用于主控开关管，实现高效稳定的直流输出，满足商业照明和户外照明对能效和寿命的要求。
　　此外，TF10N65也被用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动工具电源模块中作为核心开关元件。在电机控制领域，如小功率变频家电（风扇、洗衣机、空调压缩机）中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中执行高速开关动作，实现精确的速度调节和能耗优化。
　　工业自动化设备中的开关电源单元、继电器驱动电路和感应加热装置也常采用TF10N65，因其具备较强的抗干扰能力和长时间运行稳定性。同时，该器件还可用于电池充电管理系统（BMS）、电信电源模块以及各类嵌入式电源系统中，作为主功率开关使用。得益于其封装通用性和电气性能的均衡表现，TF10N65已成为许多工程师在开发新项目时优先考虑的高压MOSFET之一。