时间：2025/4/25 15:51:06
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TF050P03N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能。
TF050P03N 的封装形式为 TO-220，适合大电流和高电压场景下的功率转换应用。其出色的热特性和电气特性使其成为工业控制和汽车电子等领域的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用场景。
3. 出色的热稳定性，能够承受较高的结温。
4. 小巧的封装设计，便于在紧凑型电路中使用。
5. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 支持表面贴装和通孔安装两种方式。
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. LED 驱动电路和背光控制。
7. 充电器和电池管理系统 (BMS)。
IRFZ44N
FDP069N06L
STP10NK06Z
