时间：2025/5/21 21:43:18
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TF040N04NG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其出色的导通电阻和开关特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
该器件采用了先进的半导体工艺技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适合在高效率和高密度的电力电子设计中使用。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4A
导通电阻：16mΩ
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
1. 低导通电阻：TF040N04NG 的典型导通电阻仅为 16mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能：该器件具备较小的输入电容和输出电荷，能够实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
3. 高可靠性：采用先进工艺制造，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。
4. 小型化封装：TO-252 (DPAK) 封装设计节省了电路板空间，同时提供良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围：支持 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围，适用于各种工业和消费类应用场景。
1. 开关电源 (SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRFZ44N
FDP5572
AO3400
