时间：2025/6/11 19:36:36
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TF040N03N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于中等功率范围的应用。
该芯片通过优化的沟槽式工艺设计，实现了较低的导通损耗和较高的效率，同时具备良好的热性能和耐用性。其额定电压为 40V，能够承受较高的漏源电压，确保在各种工作条件下的稳定性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：76A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总功耗：140W
结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-220
TF040N03N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 76A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和抗浪涌能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
该功率 MOSFET 常用于以下应用场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 各类 DC/DC 转换器和负载开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的功率管理单元。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5500
IXFK76N04T2
