时间：2025/5/26 11:28:16
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TF030N04MG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他需要高效能功率管理的应用场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，从而显著提高了系统效率并减少了热量生成。
该芯片封装形式为 TO-252（DPAK），能够承受较高的电压，并具备出色的热性能，使其非常适合紧凑型设计。
型号：TF030N04MG
VDS（漏源极击穿电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：3.6mΩ（典型值，在 VGS=10V 下测量）
ID（连续漏极电流）：30A
VGS（栅源极电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：27nC（最大值）
EAS（雪崩能量）：84mJ
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（30A 连续漏极电流），适合多种大功率应用。
3. 良好的热性能，允许在高功耗条件下运行。
4. 具备雪崩能量保护功能，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 小型化封装（TO-252），便于 PCB 布局设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC/DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载开关应用，如电池供电设备。
5. 工业控制及汽车电子中的功率管理模块。
6. LED 驱动器中的开关元件。
IRFZ44N
FDP017N04L
STP30NF04
AO3400
