时间：2025/4/29 10:49:23
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TF030N03M 是一种 N 沟道功率 MOSFET，主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场合。该器件采用 TO-252 封装形式，适用于多种电力电子设备，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其优异的电气特性和散热性能使得它成为工业和消费类应用的理想选择。
该功率 MOSFET 的设计目标是提供高效率和可靠的解决方案，通过降低导通损耗和开关损耗来提高整体系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
反向恢复时间：47ns（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效减少导通损耗，从而提升系统的整体效率。
2. 高速开关性能，具有较小的栅极电荷和反向恢复时间，适合高频开关应用。
3. 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能和紧凑的设计，能够适应空间受限的应用环境。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 电池保护及负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 照明驱动中的高效功率管理。
6. 消费类电子产品中的快速充电适配器设计。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
IXTP12N10P
