时间：2025/6/23 13:11:22
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SH31N221J101CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高效率并降低功耗。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，适用于多种需要高效功率转换的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：ton=19ns, toff=48ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SH31N221J101CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。
2. 高开关速度设计，能够支持高频应用，减少开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能，适合于同步整流和电机驱动等应用场景。
4. 强大的过流能力和热稳定性，确保在恶劣环境下也能可靠运行。
5. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，便于实际安装和使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 大功率 LED 驱动器。
4. 各类 DC/DC 转换器。
5. 负载开关和保护电路。
6. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统中作为关键功率元件。
IRF260N, STP200N10F5, FDP17N10
