时间：2025/4/27 10:10:29
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TF023N04NG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式为 SOT-23，适合高密度贴片应用。
这款 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：400mW
结温范围：-55℃ 至 +150℃
TF023N04NG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通状态下的功耗。
2. 高速开关性能，适用于高频电路设计。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
4. 高电流处理能力，能够承受高达 1.7A 的连续漏极电流。
5. 良好的热稳定性，工作温度范围宽广，可适应多种环境条件。
6. 栅极阈值电压较低，便于与低压控制逻辑兼容。
TF023N04NG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器和功率转换电路。
2. 手机充电器和适配器的初级侧或次级侧开关。
3. 便携式电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率开关元件。
5. 各类 DC-DC 转换器及 LED 驱动电路。
6. 过流保护和短路保护电路。
AO3400
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