FDC638P-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)公司生产的 FD 系列。该器件采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和电机驱动应用。FDC638P-NL 的设计使其能够承受高电流负载并保持高效能表现。
其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路以及便携式电子设备的电池管理等。由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 在工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:11A
导通电阻(典型值,Vgs=10V):25mΩ
栅极电荷:12nC
反向恢复时间:35ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
FDC638P-NL 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. SO-8 封装提供良好的散热性能和紧凑的设计,便于 PCB 布局。
6. 可靠性高,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
FDC638P-NL 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载切换。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED 驱动器中的电流调节。
5. 各种 DC-DC 转换器模块。
6. 通信设备和消费类电子产品中的电源管理部分。
这些应用得益于 FDC638P-NL 的低损耗特性和高效率表现。
FDS6670A, FDC638PBNL, IRF7843